РФЯЦ – ВНИИТФ запатентовал драйвер управления силовыми транзисторами с повышенной помехоустойчивостью

17.05.2022 16:59
Просмотров: 689

Документ был опубликован на сайте Роспатента 13 мая.

Изобретение относится к устройствам сопряжения между цифровыми устройствами с силовыми МОП (металл – оксид – полупроводник) или IGBT (БТИЗ – биполярный транзистор с изолированными затворами) транзисторами. Драйвер предназначен для управления силовыми транзисторами в электронной аппаратуре с высокими уровнями электромагнитных помех или высокими требованиями к надежности работы, а также при значительной длине линий связи, по которым на устройство поступают сигналы управления.

Отличительной особенностью драйвера является управление его работой с помощью двух внешних независимых парафазных сигналов, поступающих по отдельным линиям связи. Техническим результатом является высокая помехоустойчивость, безопасность и надежность.

Изобретение может быть использовано в силовой электронике промышленного и специального назначения. Разработчики - ведущий инженер-исследователь института Владимир Фоминых, начальник отдела Иван Киселёв, начальник группы Андрей Русак и инженер-исследователь Ольга Русак - уверены в востребованности драйвера в будущем. По словам авторов, на данный момент уже разработаны два прибора, где применены технические решения драйвера. Они прошли первые испытания и эксплуатируются на предприятии.

«Учитывая полученный положительный опыт применения данного технического решения в составе различных устройств силовой электроники, можно достаточно оптимистично оценить возможность внедрения изобретения в состав перспективных разработок по соответствующему профилю», – отметил Владимир Фоминых.

Источник: Пресс-служба РФЯЦ – ВНИИТФ